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論文

Mechanism of light-impurity release in a tokamak

前野勝樹; 山本新; 平山俊雄; 小川宏明; 大塚英男; 松田俊明

Japanese Journal of Applied Physics, 25(7), p.L604 - L606, 1986/00

https://doi.org/10.1143/JJAP.25.L604

被引用回数：1 パーセンタイル：8.61(Physics, Applied)

スクレィプオフ層の電子温度と不純物ガスの分圧とに対する分光強度の依存性を調べることから、軽元素不純物の発生機構を明らかにする。軽元素不純物からの分光強度は電子温度に比例し、HH $_{4}$ ,CO,CO $_{2}$ ,H $_{2}$ O等の分圧に依存しない。計算機シュミレーションによると、その分光強度は軽元素不純物の流入束に比例する。これらのことから係元素不純物の流入機構は物理スパッタリングと考えられる。壁材料側から軽元素不純物を低減するためには、物理スパッタリングの小さい低Z材を選ぶことが大切である。